* ფენის სისქის კონტროლირებადი: ულტრაბგერითი შესხურებით შესაძლებელია ნაკადის სიჩქარის ზუსტად კონტროლი, რათა ფენის სისქე კონტროლირებადი იყოს.

* მასალების დაზოგვა და გარემოს დაცვა: ულტრაბგერითი დაბალი ნაკადის შესხურებამ შეიძლება შეამციროს შესასხურებელი მასალების გამოყენება 80%-ით, მუშებს არ სჭირდებათ შესასხურებელ მასალებთან პირდაპირი კონტაქტი, რაც უფრო მეტ გარემოს დაცვას უზრუნველყოფს.
* მაღალი ეფექტურობა და ენერგოდამზოგავი: სითხე შესასხურებელ თავში გადადის თვითმიზიდულობის ან დაბალი წნევის ტუმბოს მეშვეობით და უწყვეტი ან წყვეტილი ატომიზაციით, არ ახშობს ბლოკირებას, არ ცვდება, არ ხმაურობს, არ აწვება წნევას, არ აქვს მოძრავი ნაწილები, არ საჭიროებს გამაგრილებელ წყალს ატომიზაციის დროს, მცირე ენერგომოხმარება, მარტივი აღჭურვილობა, დაბალი გაუმართაობის მაჩვენებელი, ულტრაბგერითი სარწყავი თვითწმენდის ფუნქციით და არ საჭიროებს მოვლას.

* საწვავის უჯრედები
*თხელაფენიანი ფოტოელექტრული უჯრედები
*თხელფენოვანი მზის საფარი
* პეროვსკიტის მზის უჯრედები
* გრაფენის საფარი
* სილიკონის ფოტოელექტრული უჯრედები
* მინის საფარი
* ელექტრონული სქემები
* შესასხურებელი თავის გამოყენება შესაძლებელია სხვადასხვა ხსნარზე, ასევე შესაძლებელია კანალიზაციის, ქიმიური სითხის და ზეთის ლორწოს ატომიზაცია.